SK keyfoundry成功開發450V-2300V SiC平面MOSFET工藝平臺，斬獲1200V新品訂單，正式開啟SiC業務全面佈局
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2026 年 3 月 11 日
成功開發450V-2300V SiC平面MOSFET工藝平臺，確保高可靠性與良率競爭力 啟動為新客戶開發1200V SiC MOSFET，加速SiC化合物半導體代工業務程序 韓國首爾2026年3月11日 /美通社/ — 韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry宣佈，公司近期已完成SiC（碳化矽）平面MOSFET工藝平臺的開發。當前，該平臺在新一代化合物功率半導體市場中正備受青睞。公司還透露，已獲得一家新客戶的1200V SiC…
SK keyfoundry加速碳化矽化合物功率半導體技術開發
— 透過收購SK powertech掌握核心技術能力，目標2025年底前提供工藝技術 — 韓國首爾2025年11月12日 /美通社/ — 韓國8英吋純晶圓代工廠SK keyfoundry宣佈，正加速開發碳化矽(SiC)化合物功率半導體技術，加大進軍全球功率半導體市場的力度。公司憑借在半導體製造工藝領域的先進製造專長與廣泛智慧財產權(IP)組合，近期已完成對碳化矽領域具備核心競爭力的關鍵企業SK powertech的收購，此舉有望進一步增強SK…